Aufgabe:
Das P-dotieren eines Si-Halbleiters besteht darin ein 3-wertiges Atom, z.B. Bor, in den Siliciumkristalls hinzuzufügen. Das Dotieratom wird nun negativ geladen, da es ein Elektron eines benachbarten Si-Atoms aufnimmt. Es entsteht dabei ein positives Loch im Valenzband und es kann nun Strom fließen, da jetzt Platz im Valenzband besteht.
Problem/Ansatz:
Woher bekommt das Elektron, das wie oben beschrieben in das Dotieratom (Bor) springt seine Energie? Das Dotieratom befindet sich ja auf einen höherem Energieniveau... Siehe Skizze
Uns wurde in der Vorlesung nur gesagt, dass das Thema "Halbleiter" zu einem Teil nur von der Quantenmechanik erklärt werden kann und wir einige Sachen einfach so hinnehmen müssen. Ich weiß nur nicht ob meine Frage zur Quantenmechanik gehört.
LG